10.3969/j.issn.1006-4311.2012.33.050
基于SRAM的FPGA抗SEU加固技术分析研究
随着CMOS电路的高速发展,集成密度的增大,低功耗的设计以及系统芯片的普及,导致电路更容易受到空间辐射的影响,尤其是单粒子效应(Single Event Upset,SEU).本文介绍了基于SRAM的FPGA受到空间辐射环境影响产生的单粒子效应,分析了国内外针对SEU效应提出的一些器件的加固方法:工艺加固、电阻加固、电容加固、电路设计加固等.重点分析介绍了冗余技术、EDAC技术以及Scrubbing技术等电路设计加固技术,总结比较了各种技术的优缺点.
单粒子效应、FPGA、TMR、EDAC
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TN942
2013-01-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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