低温红外分析半导体硅材料影响因素研究
低温红外光谱在半导体材料的结构、成分分析中有非常广泛的应用. 本文从样品制备、仪器条件2个方面论述了低温傅立叶变换红外光谱仪分析半导体硅材料中间隙氧、代位碳及Ⅲ族、Ⅴ族杂质时的影响因素和预防措施,为低温红外分析技术的广泛应用提供了理论指导.
低温红外、半导体硅材料、影响因素
29
TQ127.2
2020-03-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
106-107
点击收藏,不怕下次找不到~
低温红外、半导体硅材料、影响因素
29
TQ127.2
2020-03-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
106-107
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话:4000115888 举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn