电感耦合等离子体原子发射光谱同时测定金属硅中微量和痕量杂质元素

摘要：

研究了金属硅中微量和痕量杂质元素Al、Ca、Fe、Mn、P、Cr、Cu、Ni、Ti、V、Zr、As和B等电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)的同时测定方法,样品以HNO3、HCl和HF挥硅处理方法,在样品处理过程中,加入适量体积的甘露醇能够抑制B的挥发.在优化选定的仪器条件和测定介质下测定金属硅样品,用本方法测定了一个金属硅标准样品NIST SRM-57a,结果令人满意.金属硅样品中微量和痕量杂质元素的回收率均在95%～105%之间,相对标准偏差RSD均小于5%,该法操作简便、分析快速、结果准确可靠.

关键词：ICP-AES、金属硅、微量和痕量杂质元素

所属期刊栏目：14

分类号：TG1(金属学与热处理)

在线出版日期：2004-09-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：58-60