基于二硒化铂新型纳米器件高各向异性输运研究

摘要：

低维材料是发展新一代电子技术和纳米器件的关键.低维二硒化铂(PtSe2)材料因具有制备方法简单、稳定性高、载流子迁移率高等优点而备受关注,被视为最有希望的电子器件候选材料之一.本研究采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的第一性原理方法研究了低维PtSe2材料的电子结构和输运性质,并沿不同的边界计算锯齿型和扶手椅型PtSe2纳米带.结果表明,不同的条带宽度对锯齿型边界下的PtSe2影响很小,其能带结构均为金属性;扶手椅型边界下表现出奇偶特性.同时,不同边界的PtSe2纳米器件具有高各向异性,其中,锯齿型边界的PtSe2纳米器件有更高的电流,并且表现出负微分电阻效应.

关键词：二硒化铂、低维材料、纳米器件

所属期刊栏目：14

分类号：TB34;TN379;TG111.1(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金;江西理工大学清江优秀人才计划资助项目;江西省大学生创新创业教育计划项目

在线出版日期：2023-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：347-354