高 g值冲击下 MEMS器件可靠性研究

摘要：

以基于SOI的MEMS开关器件为研究对象，建立了以SOI器件为基本结构的有限元分析模型，此次实验采取的是在SOI层上镀上一层Au，以便进行电路连接，并加载500～5000 g的惯性力进行有限元分析。经ANSYS有限元的分析，在500 g高惯性力的作用下，最容易产生金属层的脱落现象，造成MEMS器件的失效。通过这种方式对不同结构的MEMS开关器件进行有限元分析，限制其阀值加速度，减少由于惯性跌落试验而造成的实物破坏。

关键词：SOI、MEMS器件、惯性冲击、脱落失效

分类号：TN403(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2014-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：15-16,20