Si3 N4钝化光电二极管的辐照实验研究

摘要：

研究了化学气相淀积 Si3 N4钝化、Si3 N4-SiO 2复合钝化对光电二极管抗辐射性能的影响,比较了电子辐照和质子辐照两种类型辐照对器件性能的影响,认为不管是质子辐照还是电子辐照,Si3 N4钝化对于可见光部分(400~800 nm)影响不大,Si3 N4钝化工艺可以应用于光伏产业。

关键词：光电二极管、Si3 N4、表面钝化、辐照

分类号：TN36(半导体技术)

在线出版日期：2015-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：66-69