Tm掺杂AlN薄膜结构及其光致发光特性研究

摘要：

利用射频磁控反应溅射方法,以Al-Tm合金为靶材,Si (100)为衬底,制备了铕(Tm)掺杂的氮化铝(AlN)薄膜.利用X-射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了退火温度对样品结晶形态和表面粗糙度的影响.XRD测试结果表明,经高温退火处理后的样品具有良好的(100)择优取向；AFM测试表明,适当温度退火后的薄膜更加致密、平整；X-射线能量谱(EDS)测试表明,薄膜主要组分为Al、N、O、和C元素,但C、O主要吸附于薄膜表面,Al和N的含量接近于AlN的化学计量比；光致发光光谱(PL)测试表明,Tm掺杂的AlN薄膜发光中心位于468 nn,对应于可见光谱中的蓝色光,退火温度对发光强度有重要影响.

关键词：Tm掺杂AlN、射频磁控反应溅射、光致发光光谱

所属期刊栏目：25

分类号：TN15(真空电子技术)

在线出版日期：2013-07-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：65-68