HClO4/H2SO4混酸体系制备低硫可膨胀石墨的研究

摘要：

探索了HClO4/H2SO4/KMnO4/CH3COOH氧化插层体系制备低硫可膨胀石墨的新方法.研究发现,采用氧化插层体系可制得膨胀性能优良的低硫可膨胀石墨,最佳反应条件为:m(石墨)/m(混酸)/m(冰乙酸)/m(高锰酸钾)=1:(1～1.5):O.75:0.1,混酸中m(浓硫酸)/m(高氯酸)=(1～1.5):1,氧化温度为25℃,氧化时间为30 min.在此条件下制备的低硫可膨胀石墨在900℃的膨胀容积可达352 mL/g.

关键词：低硫可膨胀石墨、氧化插层体系、制备工艺、膨胀性能

分类号：TQ165

在线出版日期：2005-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：48-51