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10.3969/j.issn.2095-509X.2015.06.004

一种精细调控 PECVD 晶圆温度的设计及其仿真分析

引用
为在等离子增强型化学气相沉积工艺过程中,实现对晶圆平均温度及温度分布轮廓的精细化调控。采用Comsol软件建立热流仿真模型,通过调节冷却气体的进气流量,调节晶圆平均温度;通过调节布气板环形气道宽度,调节晶圆的温度分布轮廓。结果表明,与不通冷却气体时相比,当气体流量为70000 mL/min时,晶圆表面平均温度从430℃降到预设温度220℃;当布气板环形气道宽度从中心到边缘分别为0.5mm、8.0mm、2.0mm、1.0mm、0.5mm时,晶圆表面温度分布变异系数小于2%。该方法实现了在工艺过程中对晶圆平均温度及分布轮廓的有效控制,为薄膜沉积工艺提供了均匀的热场分布。

等离子增强型化学气相沉积、温度控制、晶圆

TH164

国家科技重大专项02专项资助项目2011ZX02403

2015-08-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

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机械设计与制造工程

2095-509X

32-1838/TH

2015,(6)

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