SiC单晶片线锯切割技术研究进展

摘要：

单晶碳化硅(SiC)以其独特稳定的物理学特性和半导体特性在集成电路和空间光学等领域得到广泛应用.在SiC单晶片的制造过程中,切割是加工SiC单晶片首要关键的工序,其切割成本占整个晶片加工成本的50％以上.参阅了国内外相关文献资料,研究分析了目前SiC在切割技术尤其是线锯切割SiC技术及线锯切割设备方面的研究现状,对线锯切割SiC技术和设备中存在的问题进行研究分析,提出了SiC单晶片线锯切割技术未来的研究方向.

关键词：SiC单晶片、金刚石线锯、线锯切割技术、研究现状

所属期刊栏目：37

分类号：O786;TH161.1(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金项目51175420资助.The project supported by the National Natural Science Foundation of China No.51175420.

在线出版日期：2015-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：849-856