位错在金刚石—硅复合材料中引起的应力场

摘要：

研究中利用镜像法建立物理模型.将复合材料转化为两个无限大体结构,并在界面位置上分布相应的位错密度函数.基于Stroh formalism得到各向异性场中的控制方程.通过构造解的形式,求得封闭的位错密度函数的解,最终得到应力场理论解.通过检验边界条件验证所得结果的正确性.讨论位错位置、位错混合度和晶向方向对界面上应力σ12、σ22和σ23的影响,同时给出解偶和耦合情况下位错产生的应力分布.所得结果通用于该类型各向异性复合材料,也可用于研究相关的位错动力学问题.

关键词：镜像法、复合材料、位错密度函数、各向异性

所属期刊栏目：35

分类号：O343.8(固体力学)

资助基金：The project supported by the National Natural Science Foundation of China No.10802081.国家自然科学基金资助项目10802081

在线出版日期：2013-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：428-437