微桥法研究低应力氮化硅力学特性及误差分析

摘要：

用微机械悬桥法研究低应力氮化硅薄膜的力学性能.对符合弹性验则的微桥进行测试,在考虑衬底变形的基础上,利用最小二乘法对其载荷-挠度曲线进行拟合,得到低应力low pressure chemical vapour deposited (LPCVD)氮化硅的弹性模量为314.0 GPa±29.2 GPa, 残余应力为265.0 MPa±34.1 MPa.探讨梯形横截面对弯曲强度计算和破坏发生位置的影响,得到低应力氮化硅的弯曲强度为6.9 GPa±1.1 GPa.对微桥法测量误差的分析表明,衬底变形、微桥长度和厚度的测量精度对最终力学特性的拟合结果影响最大.

关键词：微电子机械系统、微桥、低压化学气相淀积、氮化硅、弹性模量、残余应力、弯曲强度

所属期刊栏目：25

分类号：O343(固体力学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G1999033103;香港理工大学校科研和教改项目1.1.37.A310项目

在线出版日期：2003-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：395-400