基于MZI光开关上应力相移器的制备与性能研究

摘要：

针对主流热光开关、静电光开关等功耗大、响应速率较慢等问题,设计出了一种以锆钛酸铅(PZT)薄膜为核心的以应力相移器驱动的MZI光开关.采用了溶胶凝胶法,在氮化硅光子芯片上制备PZT薄膜,完成应力相移器加工.为了避免PZT薄膜在高温结晶过程中所产生的应力导致MZI光开关出入光口龟裂,利用剥离-腐蚀工艺构建钛金属保护层,成功保证了MZI光开关出入光口的完整性.PZT薄膜作为应力相移器中的驱动结构,对PZT薄膜进行漏电流测试和铁电性能测试,实验证明PZT薄膜的加载电压达到25 V时还未击穿,这说明PZT薄膜具有优良的绝缘性;电滞回线较为饱和,说明PZT薄膜具备良好的铁电性.可以在光子芯片上制备出的PZT薄膜具有良好压电及铁电性能,且能够满足光子芯片需求.

关键词：应力相移器、PZT薄膜、金属保护层

所属期刊栏目：51

分类号：TB383(工程材料学)

在线出版日期：2023-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：69-72