Nb2O5纳米线的热氧化生长与光催化性能

摘要：

采用热氧化技术在金属铌箔片上生长了Nb2O5纳米线,利用X射线衍射光谱、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物的物相、形貌和微结构进行表征,并研究了纳米线的光吸收及光催化染料降解特性.结果表明,热氧化所得Nb2O5纳米线为四方相结构,直径约为20～60 nm.当氧气流量为25 mL/min(sccm)时,纳米线生长致密、长径比高,构成网络结构.随着氧气流量的增加,纳米线的数量和致密程度逐渐下降.紫外可见吸收光谱表明,Nb2O5纳米线为直接带隙半导体,带隙宽度为3.42 eV.此外,Nb2O5纳米线在波长为365 nm的紫外光照射下对亚甲基蓝、甲基橙和罗丹明B等染料均具有光催化降解性能,效率因子分别为-0.025、-0.021和-0.008 min-1.

关键词：半导体纳米线、五氧化二铌、热氧化、光催化、光吸收

所属期刊栏目：32

分类号：TB34(工程材料学)

在线出版日期：2015-08-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：658-661,673