无氰镀液脉冲电镀制备金靶的研究

摘要：

通过在无氰镀金液中加入合适的配位体优化镀液性能,并用脉冲电镀法制备出惯性约束聚变(ICF)金靶.讨论了该体系镀液在电镀时的温度、电流密度、极间距、频率和占空比等工艺对镀层性能的影响,利用SEM对样品的形貌进行了表征;利用电化学工作站对镀液进行了分析.得到了适合制备ICF金靶的亚硫酸盐镀金液及相应的脉冲镀金工艺的最佳条件:亚硫酸铵610 mL/L,金13 g/L,柠檬酸钾55 g/L,氨水140 mL/L,1-羟基乙叉-1,1-二膦酸(HEDP)1.32 mol/L,氨基三甲叉膦酸(ATMP)1.32 mol/L,pH=7～8,温度45 ℃,频率300 Hz,占空比1:7,电流密度0.3～0.1 A/dm~2,极间距6 cm.

关键词：金靶、无氰、脉冲电镀

所属期刊栏目：26

分类号：TQ153.1

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）2007AAxxx133

在线出版日期：2010-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1068-1071