Cu掺杂SnO2纳米粉体的制备及气敏特性

摘要：

控制不同n(Cu2+)/n(Sn4+),用均匀共沉淀法制备了平均粒径约80 nm的金红石型结构Cu掺杂SnO2纳米粉体;并以白云母为基片制备出Cu掺杂SnO2气敏元件.用TG-DSC、XRD、SEM对样品的相变、结构、形貌进行了分析,并测试了气敏元件的阻温特性和75 ℃氢气敏感性能.结果表明,Cu掺杂抑制了SnO2晶核的生长,使SnO2结晶度由约75%减小到50%,晶粒尺寸由约18 nm减小到6 nm;Cu掺杂使n型半导体SnO2的空气电阻值由1～8 kΩ提高到9×105～3×107 MΩ,并使元件在75 ℃对体积分数为2 000×10-6氢气的灵敏度提高约20倍;n(Cu2+)/n(Sn4+)≈0.01时,元件对体积分数为4 000×10-6氢气的灵敏度高达约42.

关键词：SnO2、掺杂、气敏、氢气、功能材料

所属期刊栏目：25

分类号：TN304.92(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）;四川省科技厅应用基础项目

在线出版日期：2008-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：833-837