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10.3321/j.issn:1003-5214.2006.09.003

室温固相合成掺杂ZnO纳米粉体制备ZnO压敏电阻

引用
以金属离子盐和草酸为原料,采用室温固相化学反应合成掺杂ZnO前驱物,根据DSC-TG分析结果,将其在450 ℃热分解2 h,得到掺杂ZnO粉体,并用此粉体制备了片式ZnO压敏电阻.借助XRD、TEM、BET等检测手段对粉体产物的物相、形貌、粒度等进行了表征.研究了烧结温度对ZnO压敏电阻电性能的影响.结果表明,所制备的粉体为平均粒径24 nm左右、颗粒呈球状、分散性好的纤锌矿结构掺杂ZnO.在1 080 ℃烧结时,ZnO压敏电阻的综合电性能达到最佳,电位梯度为791.64 V/mm,非线性系数为24.36,漏电流为43 μA.

室温固相反应、掺杂ZnO纳米粉体、压敏电阻

23

TB383(工程材料学)

国防科技应用基础研究基金A3120061156

2006-10-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

841-844,848

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1003-5214

21-1203/TQ

23

2006,23(9)

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