GaAs材料解理加工分子动力学分析及工艺实验

摘要：

针对GaAs基半导体激光芯片谐振腔面的超精密解理制造技术需求,开展GaAs材料解理加工分子动力学仿真及加工工艺实验研究.首先建立GaAs材料划片过程的分子动力学模型,研究[100]和[110]晶向的表面微观形貌及亚表面损伤深度,分析材料各向异性对划片形貌的影响机制;然后开展解理工艺实验对MD模型进行了验证,并分析解理面形貌的变化情况.仿真结果表明:相比于[100]晶向,[110]晶向上最大损伤宽度、划片宽度和亚表面损伤深度平均值分别降低5.23％、3.98％和2.61％,沿该晶向所得划片质量更优,此外最大损伤宽度、划片宽度和亚表面损伤深度均随划片深度增加而增加,而划片速度对GaAs表面形貌及亚表面损伤影响较小:通过工艺实验验证了 MD仿真结果,并确认[110]为GaAs最佳解理加工晶向.

关键词：半导体激光器、谐振腔、解理、各向异性、分子动力学

所属期刊栏目：59

分类号：TN248(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金51475310

在线出版日期：2023-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：317-324