芯片互连层化学机械平坦化过程中材料移除机理研究进展

摘要：

化学机械平坦化(Chemical mechanical planarization,CMP)是芯片制造中的关键技术,用于实现多种结构表面纳米级别的超精细平坦化.互连层金属和芯片结构中的其他材料性质差异较大,其平坦化过程更加依赖于抛光浆料中的化学组分.协同机理适用于描述金属CMP的材料移除过程:抛光浆料中的化学组分对互连层表面进行化学改性,继而在研磨粒子的机械磨削作用下去除.基于此,综述重点介绍了研究研磨粒子微观状态和作用的接触机制和其相关模型的发展;并分别阐述了氧化剂、络合剂和抑制剂等化学组分的作用和金属的反应过程和原理;最后对抛光液组分最新研究进展和发展趋势进行了归纳总结,以期在芯片制造技术发展过程中,对新型浆料的开发提供参考,以满足不同工况条件下所需的材料去除速率,超精细平坦化和超低缺陷的要求.

关键词：化学机械平坦化、CMP、抛光液、接触机制、协同机理

所属期刊栏目：58

分类号：TG175(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金51991374

在线出版日期：2022-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：147-158