面向14纳米特征尺寸集成电路后段制程的化学机械抛光

摘要：

随着超大规模集成电路的发展,特征尺寸由目前的22 nm逐渐减小至14 nm.为了克服由此引发的的一系列问题,铜互连结构发生了巨大变化,包括使用钌替代钽/氮化钽作为阻挡层,使用超低介电常数电介质替代二氧化硅作为绝缘层.上述新型铜互连结构对后段制程的化学机械抛光技术提出了新的挑战,本文针对这些挑战开展了系统的研究.

机标关键词：纳米、特征尺寸、超大规模集成电路、互连结构、超低介电常数、抛光技术、化学机械、二氧化硅、阻挡层、绝缘层、电介质、氮化钽、系统

所属期刊栏目：53

分类号：TN4;TP3

在线出版日期：2017-05-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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