In2O3掺杂量对锑基SnO2压敏电阻电气性能的影响

摘要：

以SnO2粉、CoO粉、Cr2O3粉、Sb2O5粉、In2O3粉为原料,在100 MPa压力和1300℃温度下烧结制备(98.85-x)SnO2-1CoO-0.05Cr2O3-0.1Sb2O5-xIn2O3(x=0,0.05,0.10,0.15,物质的量分数/%)锑基SnO2压敏电阻,研究了In2O3掺杂量对压敏电阻微观结构和电气性能的影响.结果表明:随着In2O3掺杂量的增加,锑基SnO2压敏电阻的平均晶粒尺寸减小,密度先增大后减小,非线性系数、施主密度、界面态密度和势垒高度均先增大后减小,泄漏电流密度先减小后增大,电压梯度增大.当掺杂In2O3 物质的量分数为0.10%时,压敏电阻的密度达到最大,为6.82 g·cm-3,综合电气性能优良,其电压梯度、非线性系数、泄漏电流密度、施主密度、界面态密度和势垒高度分别为851 V·mm-1,32.36,1.19 μA·cm-2,4.4×1023 m-3,3.2×1016 m-2和1.44 eV.

关键词：锑基SnO2压敏电阻、In2O3掺杂量、电气性能、微观结构

所属期刊栏目：47

分类号：TB321(工程材料学)

资助基金：新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目2022D01C21

在线出版日期：2023-08-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：25-29,66