高导热碳化硅陶瓷的研究进展

摘要：

近年来,集成电路、热交换器、半导体等行业的快速发展对碳化硅陶瓷的导热性能提出了更高的要求.碳化硅陶瓷内部存在的晶格氧、晶界、气孔等缺陷导致其室温热导率远低于碳化硅单晶理论室温热导率.综述了添加剂、烧结工艺等因素对碳化硅陶瓷室温热导率的影响,并对高导热碳化硅陶瓷的未来发展方向进行了展望.

关键词：碳化硅陶瓷;热导率;添加剂;烧结工艺

所属期刊栏目：45

分类号：TQ174.75

资助基金：国家科技重大专项项目2013ZX02104

在线出版日期：2021-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：8-12