腐蚀时间对多孔硅层形貌及多晶硅性能的影响

摘要：

采用化学腐蚀方法在多晶硅表面制备多孔硅层，通过外吸杂热处理方法进行除杂后对腐蚀不同时间后多孔硅层的形貌、多晶硅少子寿命和电阻率等进行了研究。结果表明：随着腐蚀时间的延长，形成的多孔硅层呈现不同的形貌，多孔壁孔径逐渐变大，少子寿命延长且电阻率增大；腐蚀14min后。多孔硅层局部区域坍塌，孔壁变薄；腐蚀11min时，经850℃吸杂处理的多孔硅层少子寿命和电阻率达到峰值，分别为0．98μs和0．16Ω·cm。

关键词：多孔硅、多晶硅、化学腐蚀、电阻率、少子寿命

所属期刊栏目：35

分类号：TN304.1(半导体技术)

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：58-60,84