热丝CVD法制备大面积金刚石薄膜基片的变形
采用热丝CVD法制备的大面积金刚石薄膜存在基片变形严重的问题,通过对热丝CVD设备和沉积工艺进行改进,成功解决了直径76mm、厚度0.4mm硅片的变形问题。结果表明:改进后金刚石薄膜基片的翘曲度为0.296%,比改进前的降低了88.9%;改进后金刚石薄膜的质量及晶粒大小均匀,膜厚不均匀度仅为1.53%,具有优异的大面积均习性。
金刚石薄膜、热丝CVD、变形、均匀性
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TB43(工业通用技术与设备)
2012-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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