磁控溅射法制备用作铜互连阻挡层的钛-铝薄膜

摘要：

采用射频磁控溅射法在Si(100)基片上首先沉积了厚度40 nm的非晶钛-铝薄膜,然后在其上又原位生长了厚度100 nm的铜薄膜,制备了铜膜/钛-铝膜/硅试样;对试样分别在400～800℃内进行真空退火处理,用原子力显微镜、X射线衍射仪、四探针测试仪对试样的表面形貌、结晶状态及方块电阻进行了分析.结果表明:当退火温度低于750℃时,试样表面平整,表面粗糙度和方块电阻均较小且基本不随退火温度的升高而改变,此时,非晶钛-铝薄膜能够起到阻挡铜向硅中扩散的作用;当退火温度在800℃时,试样的表面粗糙度和方块电阻急剧增大,此时,非晶钛-铝薄膜已经不能起到阻挡层的作用.

关键词：铜互连、阻挡层、钛-铝薄膜、射频磁控溅射

所属期刊栏目：33

分类号：TN104.2;O484(真空电子技术)

资助基金：国家重点基础研究发展规划973计划2007CB616910;国家自然科学基金50572021;60876055;河北省科学基金E2008000620;教育部资助项目207013;河北大学青年基金2005Q08

在线出版日期：2009-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：83-86