磁控溅射法制备ZrW2O8薄膜及其性能

摘要：

利用射频磁控溅射法在单晶硅片和石英基片上沉积了非晶态ZrW2O8薄膜,对不同温度下热处理的薄膜进行了XRD分析;用扫描电镜观察了薄膜的表面形貌,用阻抗分析仪和分光光度计分别研究了薄膜的介电性能和透光性能.结果表明:非晶态薄膜在740℃热处理3 min可以制得具有较好负热膨胀特性的ZrW2O8薄膜,其热膨胀系数为-2.54×10-5 /℃;介电常数和介电损耗均随着频率的增加而减小;在可见光范围内薄膜的透光率达75%.

关键词：磁控溅射、ZrW2O8薄膜、热膨胀系数、介电性能、透光率

所属期刊栏目：31

分类号：O484.5;TB43(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50372027

在线出版日期：2007-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：26-28,63