Ag、Ta元素对MOS2抗氧化性影响的研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1000-3738.2001.09.004

Ag、Ta元素对MOS2抗氧化性影响的研究

引用
用离子束辅助沉积方法(IBAD)制备MoS2-Ag和MoS2-Ta复合膜以及MoS2膜.用XPS分别检测在相对湿度100%室温环境下存放45天和室温去离子水浸泡158h以及在430℃加热1h后的三种膜中Mo、S元素的电子结构.数据表明:掺有Ag、Ta元素的MoS2复合膜抗氧化特性远优于同种工艺条件下制备的纯MoS2膜.

离子束辅助沉积、MoS2-Ag复合膜、MoS2-Ta复合膜、氧化

25

TG174.444(金属学与热处理)

核工业科学基金HJ9601

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

10-12

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

机械工程材料

1000-3738

31-1336/TB

25

2001,25(9)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn