大直径高质量太阳能级硅单晶磁场直拉技术研究

摘要：

直拉法易于制备大直径单晶,但在其拉制过程中,晶体生长系统中的熔体会产生自然对流、毛细对流以及强迫对流.在上述三种熔体对流的相互作用下,会使晶体中的氧、碳等杂质产生不均匀分布而影响晶体质量.通过在熔体空间中引入磁场可以有效抑制熔体各种对流,应用于硅单晶生长系统的磁场有横向磁场、纵向磁场和勾形磁场,其中勾形磁场在控制大直径硅单晶中的氧等杂质的含量以及径向分布均匀性方面效果较好.

关键词：直拉硅单晶、大直径、高质量、熔体对流、均匀性、磁场

所属期刊栏目：40

分类号：TM914.4+1

资助基金：2011年衢州市科技计划项目《大直径高质量太阳能级硅单晶磁场直拉技术研究》20111041

在线出版日期：2013-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：77-80