SiCf/TiAl复合材料界面反应及热稳定性
采用真空吸铸法制备了 SiCf/TiAl复合材料,利用SEM和TEM对制备态复合材料界面反应层进行元素扩散分析和产物确定.结果表明,制备态复合材料的界面反应产物主要由靠近碳层的等轴细晶TiC和靠近钛合金涂层的等轴粗晶TiC组成.对复合材料进行800℃热暴露实验,结果显示,界面反应层随热暴露时间的延长而增长,且在长大过程中出现了分层现象.根据热暴露后反应层厚度随时间的变化规律,绘制出800℃界面反应的动力学曲线,并推测出界面生长速率.热暴露200h后的界面反应产物共有4层,从纤维一侧到基体一侧分别是细晶TiC层、粗晶TiC层、(Ti,Zr)5Si4层和Ti3Sn+Ti2AlC层.分别对制备态和热暴露态的SiC/TiAl复合材料界面反应产物的形成机理进行了分析,得出热暴露过程中界面分层出现的主要原因是Ti2AlC新相的生成消耗了部分TiC相.
SiCf/TiAl复合材料、真空吸铸、界面反应层产物、元素扩散
58
TG146.2(金属学与热处理)
中国科学院金属研究所创新基金项目No.2015-ZD03
2022-10-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共9页
1150-1158