W中H行为的计算模拟研究
采用基于密度泛函理论的第一原理计算方法和基于Newton力学的分子动力学方法,对H在W中的溶解、扩散、聚集、形核等行为及H对W性能影响进行系统研究,发现了H在W中占位和聚集的“最佳电子密度”规则,揭示了W中H泡形核的空位捕获机制;发现了H聚集诱发的各向异性应变可降低H在W中的溶解能,从而产生H溶解增强效应,藉此提出H泡生长的应变级联机制;提出通过惰性气体/合金化元素掺杂改变W中缺陷处的电子密度,有效阻止H2分子在缺陷处的形成和聚集,从而抑制W中H泡形成的方法.本文对这一系列的工作进行了综述.这些研究成果将为未来聚变堆用W-PFM的设计、制备和应用提供重要参考.
W、H、面对等离子体材料、聚变能、计算模拟
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O469(真空电子学（电子物理学）)
国家自然科学基金面上项目 No.11675011和国家杰出青年基金项目 No.51325103;National Natural Science Foundation of China11675011;National Science Fund for Distinguished Young Scholars51325103
2018-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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