Cu/Ni和Cu/Nb纳米多层膜的应变率敏感性
为研究调制周期和界面结构对纳米多层膜应变率敏感性的影响,采用电子束蒸发镀膜技术在Si基片上制备了不同周期(A=4 nm,12 nm,20 nm)的Cu/Ni纳米多层膜,采用磁控溅射技术在Si基片上制备了不同周期(A=5 nm,10nm,20 nm)的Cu/Nb纳米多层膜.在真空条件下,对Cu/Ni纳米多层膜进行了温度分别为200和400℃、时间4h的退火处理,对Cu/Nb纳米多层膜进行了温度分别为200、400和600℃,时间为4h的退火处理.采用XRD和TEM表征了Cu/Ni和Cu/Nb纳米多层膜的结构,采用纳米压痕仪获取了不同加载应变率(0.005、0.01、0.05和0.2 s-1)下纳米多层膜的硬度.结果表明,应变率敏感性受到界面结构和晶粒尺寸的影响,非共格界面密度提高以及晶粒尺寸变大均可导致应变率敏感性下降.当周期变大时,Cu/Ni纳米多层膜的非共格界面密度提高,晶粒尺寸变大,应变率敏感性指数m减小;当周期变大时,Cu/Nb纳米多层膜的非共格界面密度下降,晶粒尺寸变大,m基本不变.随退火温度上升,Cu/Ni和Cu/Nb纳米多层膜应变率敏感性大体上呈现下降趋势,这是由退火过程中非共格界面密度上升和晶粒长大共同引起的.
纳米多层膜、周期、界面结构、应变率敏感性
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TB383(工程材料学)
国家自然科学基金项目Nos.51401238和51102283;Supported by National Natural Science Foundation of China Nos.51401238 and 51102283
2017-03-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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