静电场处理对GH4169合金中δ相析出行为的影响

摘要：

将静电场应用于GH4169合金的时效过程,研究了静电场对合金δ相沉淀析出行为的影响规律,并探讨了其机理.结果表明,合金在850℃以8 kV/cm静电场强度进行15 min时效,δ相开始在晶界析出;时效1h晶内分布大量γ"相.随时效时间延长,δ相尺寸增大、体积分数增加,γ"相尺寸亦增大.与未加静电场时效处理相比,静电场时效处理后合金中δ相体积分数降低、尺寸减小,γ"相体积分数升高;晶界δ相中Nb原子分数降低、Fe和Cr原子分数升高,晶界δ相点阵常数c减小、a和b增大.由于静电场时效处理后合金中平均空位浓度升高,促进了Fe和Cr原子扩散,同时Fe和Cr原子置换晶界δ相中Nb原子,Nb原子固溶入晶内.另一方面,空位浓度的升高增加了,γ"相非匀质形核几率,促进γ"相析出.同时,空位亦可松弛基体γ相与γ"相的共格畸变,有效抑制了γ"相向δ相转变,增加了强化相γ"相的稳定性.

关键词：GH4169合金、电场处理、δ相、γ"相

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分类号：TG132.3(金属学与热处理)

资助基金：Supported by High Technology Research and Development Program of China No.2012AA03A513 and National Natural Science Foundation of China Nos.51171039 and 51371044;国家高技术研究发展计划项目2012AA03A513以及国家自然科学基金项目51171039和51371044资助

在线出版日期：2015-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1235-1241