Fe81Ga19合金<001>取向单晶生长及磁致伸缩性能

摘要：

采用悬浮区熔法,加入籽晶控制生长取向,以4 mm/h的生长速度,制备了轴向〈001〉择优取向的Fe81Ga19单晶.极图测试结果发现,采用偏离轴向〈001〉方向约5°的籽晶生长得到的单晶,生长始端和生长末端轴向取向分别偏离〈001〉取向5°和4°,上下取向差仅为1°.另一单晶采用轴向〈001〉取向籽晶生长得到,当施加60 MPa压力时,饱和磁致伸缩性能达到0.0324%.测试了〈100〉,〈110〉和〈111〉取向单晶的初始磁化曲线,利用初始磁化曲线,计算得出Fe81Ga19单晶的磁晶各向异性常数值K1和K2,分别为1.3×104和-2.6×104 J/m3.

关键词：Fe81Ga19单晶、〈001〉取向、磁致伸缩、磁晶各向异性

所属期刊栏目：47

分类号：TG132(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金50971008;50925101和50921003

在线出版日期：2011-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：169-172