电弧离子镀法制备高硬度Cr-Si-C-N薄膜

摘要：

采用电弧离子反应沉积技术在SCM415渗碳淬火钢基片上沉积了Cr-Si-C-N薄膜,三甲基硅烷(TMS)反应气体作为Si和C掺杂源,通过改变TMS流量实现了薄膜中si和C含量的调节.利用XPS,XRD,HRTEM和显微硬度计研究了Cr-Si-C-N薄膜的化学状态、显微组织和显微硬度.Cr-Si-C-N薄膜中的Si和C含量随TMS流量的增加而单调增加.在TMS流鼍小于:90 mL/min时,薄膜中Si和C含量较少,薄膜由Cr(C,N)纳米晶与Si_3N_4非品(nc-Cr(C,N)/a-Si_3N_4)组成,薄膜硬度随流量的增加而单调增大,最大至4500 HK.硬度的增加源于固溶强化及薄膜中纳米晶/非晶复合结构的形成;当TMS流量大于90 mL/min时,薄膜中Si和C含量较多,多余的C以游离态形式存在,且随TMS流量的增加而增多,薄膜硬度下降.

关键词：电弧离子镀、Cr-Si-C-N薄膜、纳米晶、显微硬度

所属期刊栏目：45

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

资助基金：教育部留学回国人员科研启动基金项目和重庆市科技攻关项目CSTC2008AC4017资助 Supported by Scientific Research Foundation for the Returned Overseas Chinese Scholars and Chongqing Science and Technology Development Program CSTC2008AC4017

在线出版日期：2010-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1320-1324