10.3321/j.issn:0412-1961.2009.10.006
第一性原理计算TiN(111)/BN/TiN(111)界面的电子结构、成键特性和结合强度
利用第-性原理计算方法研究了TiN(111)/BN/TiN(111)界面的16个理论界面构型.计算结果表明,最稳定界面构型为top-top-BN构型,此构型中B原子只与周围N原子成键,为四面体配位.同时计算了top-top-BN构型的电子结构和成键特性以及界面结合强度,结果表明,top-top-BN构型界面上的键为较强共价键,其界面结合强度比TiN(111)板层或TiN块体材料的(111)晶面间的结合强度大,说明此构型具有强界面特征.
纳米复合薄膜、氮化物、界面、第一性原理
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TG146(金属学与热处理)
河北省教育厅科研计划资助项目z2008304
2010-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1185-1189