10.3321/j.issn:0412-1961.2009.05.017
磁场沉积态FeCuCrVSiB薄膜的软磁特性和巨磁阻抗效应
采用射频溅射法,在无磁场和施加72 kA/m的纵向磁场下制备了FeCuCrVSiB软磁合金薄膜样品,对沉积态样品的软磁特性和巨磁阻抗(GMI)效应进行了测量和分析.结果表明,在制备过程中加磁场可明显改善材料的软磁性能,与无磁场沉积态相比,样品的矫顽力从1.080 kA/m降低到0.064 kA/m,在13 MHz频率下有效磁导率比从10%增加到106%.GMI效应与磁导率比的大小密切相关.无磁场沉积态样品没有检测到GMI效应,而磁场沉积态样品则具有显著的GMI效应.在13 MHz的频率下,最大纵向和横向巨磁阻抗比分别高达22%和20%.这些结果都优于厚度几乎相同的退火态FeCuNbSiB薄膜的GMI特性.
FeCuCrVSiB薄膜、巨磁阻抗效应、软磁特性
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TG139(金属学与热处理)
浙江省科技计划重点资助项目2006C21085
2009-06-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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