Si中30°部分位错和单空位相互作用的分子动力学模拟

摘要：

利用基于Stillinger-Weber(SW)势函数的分于动力学方法分析了Si中30°部分位错和单空位(V1)的相互作用.不同温度,剪应力作用下的计算结果表明,在温度恒定条件下,剪应力较小时,V1对位错有钉扎作用;当施加的剪应力达到临界剪应力时,位错脱离V1的钉扎继续运动,并且将V1遗留在晶体中;随温度的升高,临界剪应力近似线性下降.通过不含V1和含有V1的模型中位错芯位置的对比后发现,V1对滑过它的30°部分位错有明显的加速作用.

关键词：Si、30°部分位错、单空位、分子动力学、弯结

所属期刊栏目：45

分类号：O411.3;O77(理论物理学)

资助基金：家自然科学基金资助项目10772062

在线出版日期：2009-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：400-404