电迁移作用下SnPb与Ni(P)界面金属间化合物的极性生长

摘要：

采用球栅阵列封装(BGA)焊点研究共晶SnPb焊点中的电迁移行为,分析了电迁移作用下SnPb焊点与Ni(P)镀层界面金属间化合物(IMC)的极性生长现象,从原子迁移的角度提出了互连焊点微结构演化的微观机理.焊点在焊接过程中形成厚度约为2 μm的Ni3Sn4 IMC层,随后的120℃热处理并不会导致界面IMC的明显生长.而电迁移作用下,阳极焊点与镀层界面IMC出现异常生长,同时阴极焊点与镀层界面IMC生长受到抑制,最终在同一焊点中形成极性生长的现象.界面IMC的极性生长与电迁移引起的原子通量有关,Sn原子通量方向与电子流方向相同,而Ni原子通量方向相反,导致阳极界面IMC的异常生长,而相同的原子迁移特性导致阴极界面IMC的生长受到抑制.

关键词：SnPb、焊点、金属间化合物、电迁移

所属期刊栏目：45

分类号：TG401;TG111(焊接、金属切割及金属粘接)

资助基金：信息产业部电子第五研究所科技发展基金项目XF0726130和中国博士后科学基金项目20080430825资助

在线出版日期：2009-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：178-182