NiFe薄膜AMR元件中非均匀退磁场和宽度的相关性

摘要：

采用磁控溅射方法制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了厚度t=20 nm、长度l=2.5 mm、宽度w分别为50,20,10,5和3μm的AMR元件.测量了AMR元件的磁电阻效应.考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率.结果表明,宽度决定了AMR元件中的退磁场分布和边缘退磁场的大小,直接影响着AMR元件的磁化反转过程.宽度越小,元件中的边缘退磁场越大,在外磁场下的磁化反转也越困难.在磁化反转过程中,磁化反转先从中心开始,逐渐扩展到边缘.

关键词：NiFe膜、各向异性磁电阻(AMR)、AMR元件、非均匀退磁场、磁化反转

所属期刊栏目：43

分类号：TP211(自动化技术及设备)

资助基金：国家自然科学基金50471093;国防科技应用基础研究基金A1420060203

在线出版日期：2007-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：599-602