Ta种子层对Ni65Co35薄膜微结构和磁性的影响

摘要：

用直流磁控溅射方法制备了Ta(x nm)/Ni65Co35(40 nm)双层薄膜(x=0,1,2,3,4,5 nm),研究了Ta种子层不同制备工艺条件对Ni65Co35(40 nm)薄膜的各向异性磁电阻(AMR)和矫顽力的影响;通过X射线衍射(XRD)对Ni65Co35薄膜的微结构进行了分析.结果表明,适当的Ta种子层的厚度和较高的溅射速率有利于Ni65Co35薄膜(111)织构形成,并能显著提高Ni65Co35膜薄的AMR值和磁传感元件的灵敏度.

关键词：Ni65Co35 薄膜、Ta 种子层、各向异性磁电阻、织构

所属期刊栏目：42

分类号：O484.43(固体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2003AA325010

在线出版日期：2006-10-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：979-982