制备态FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜的巨磁阻抗效应

摘要：

用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜,对制备态样品进行了磁阻抗测量.结果表明,样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18%和31%,取得最大阻抗比的频率分别为7和8 MHz;在此频率下,样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153%和5117%.这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能.同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分量和有效磁导率随频率的变化关系.

关键词：巨磁阻抗效应、FeZrBNi三层膜、掺杂

所属期刊栏目：42

分类号：O482.54(固体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2001CB610603

在线出版日期：2006-10-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：971-973