中频对靶磁控溅射合成TiN/Ti多层膜

摘要：

利用新型中频对靶磁控溅射技术合成了一系列TiN/Ti多层膜.考察了不同Ti间隔层对多层膜硬度和结合力的影响,分析了膜表面大颗粒和坑的形成机理;利用正交实验法和方差分析探讨了靶电流、气体压力和基体偏压对薄膜表面缺陷密度的影响,对工艺参数进行了优化.结果表明,靶电流对缺陷密度的影响最大,气体压力次之,基体偏压对缺陷密度影响最小;当靶电流I=20 A、气体压力p(Ar+N2)=0.31 Pa、基体偏压Vbias=-160--300 V和Ti间隔层厚度x=0.12 μm时,制备出硬度HV0.2 N=2250、膜基间结合力(临界载荷)Lc=48 N和表面缺陷密度ρs=58 mm-2的高质量TiN/Ti多层膜.

关键词：TiN/Ti多层膜、磁控溅射、力学性能、表面缺陷

所属期刊栏目：42

分类号：O484.5;TG111.2(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50475057;国家重点实验室基金200502

在线出版日期：2006-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：662-666