SiC颗粒增强体对铝基复合材料微弧氧化膜生长的影响

摘要：

用微弧氧化方法在SiCP/2024铝基复合材料表面沉积出较厚的陶瓷膜,测定了陶瓷膜的生长曲线和相组成,提出了金属基复合材料微弧氧化膜生长模型.结果表明,微弧放电烧结作用下,膜层内SiCP增强体大部分已被熔化并氧化,只有少数残余的SiCP颗粒仍然保留在靠近界面的膜层内.SiCP增强体阻碍了微弧氧化膜的生长,但它并未破坏微弧氧化膜的完整性,这同铝基复合材料阳极氧化膜结构完全不同.

关键词：微弧氧化、SiCP/2024铝基复合材料、陶瓷膜、生长机理

所属期刊栏目：42

分类号：TG174.45(金属学与热处理)

资助基金：中国科学院资助项目59801003;北京市科技新星计划项目9558102500;北京市留学回国启动基金

在线出版日期：2006-05-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：350-354