不同取向疲劳态铜单晶高速冲击下的绝热剪切带

摘要：

采用分离式Hopkinson压杆装置(SHPB)和扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术研究了不同取向疲劳态铜单晶高应变率压缩下形成的绝热剪切带(ASB).实验表明,ASB形成的临界应变与晶体取向有关,接近压缩临界双滑移取向晶体需要的临界应变最小,单滑移和压缩共轭双滑移取向的次之,共面双滑移取向的最大.本实验条件下形成的ASB内部典型的位错组态为位错胞结构,未观察到再结晶现象.根据空间位向,ASB可以分为3类:第1类非常接近铜晶体疲劳时形成的第2类形变带(DBⅡ)平面,其临界应变最小;第2类ASB位向或者比较接近DBⅡ平面或者比较接近第1类形变带(DBⅠ)平面,其临界应变居中;第3类ASB位向与DBⅠ和DBⅡ平面均不接近,其临界应变最大.

关键词：铜单晶、Hopkinson压杆、绝热剪切带、形变带

所属期刊栏目：42

分类号：TG117(金属学与热处理)

资助基金：中国科学院资助项目50271075

在线出版日期：2006-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：245-250