10.3321/j.issn:0412-1961.2005.05.007
CoSi2薄膜二维X射线衍射线形分析与表征
利用二维X射线衍射线形分析方法,分析了CoSi2薄膜材料的二维衍射线形.结果表明,薄膜中不同方位的衍射线形存在明显差异,主要与材料中晶粒尺寸及显微畸变的空间分布有关,其中沿薄膜法线方向上的晶粒尺寸最大,同时该方向的显微畸变最小.
CoSi2薄膜材料、二维X射线衍射、线形分析
41
TG115(金属学与热处理)
国家自然科学基金50131030;上海市AM基金0211
2005-06-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
487-490