10.3321/j.issn:0412-1961.2004.07.003
Al50Si50合金过冷熔体中Si晶体的生长
利用电磁悬浮设备,通过在真空状态下反复加热与冷却处理,获得了Al50Si50(原子分数)合金熔体的深过冷,最大过冷度为320 K.观察了不同过冷度下凝固样品小球的表面及其截面深腐蚀后的组织形貌过冷度较小时,初生相Si为板条状枝晶形貌,并在其中发现了Al的层状沉积;过冷度较大时,初生相Si转变为粒状形貌.共晶体的形貌也随过冷度的增大转变为离异共晶形态.较大过冷度下,微观组织中发现有晶粒细化现象,这与Si晶体生长受溶质的抑制及初生相Si枝晶的断裂有关.
过冷凝固、Al-Si合金、电磁悬浮
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TG111(金属学与热处理)
国家自然科学基金5017105;中-德合作项目GZ032/6
2004-09-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
683-688