疲劳过程中垂直晶界Cu双晶形变带中位错组态与裂纹形核

摘要：

采用电子通道衬度技术对垂直晶界Cu双晶在疲劳过程中位错组态的演化与裂纹的形核进行了研究.结果表明,形变带中墙结构的间距从形成之初到疲劳裂纹出现始终保持恒定;穿晶裂纹与沿晶裂纹尖端的位错组态均为胞结构;裂纹优先从形变带产生.

关键词：Cu双晶、位错组态、裂纹、形变带

所属期刊栏目：40

分类号：TG111.7(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金50271075;国家重点基础研究发展计划973计划G19990650

在线出版日期：2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：462-466