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10.3321/j.issn:0412-1961.2003.11.028

用薄膜内耗仪测定薄膜应力

引用
采用一种新的薄膜内耗仪观测Ni50Ti50薄膜样品的形变(薄膜形变造成薄膜与载膜硅片之间的界面应力)随温度或其它环境参量的变化.同步测量了薄膜的内耗、动态模量、薄膜应力以及Ni50Ti50薄膜的相变过程.

内耗、形状记忆效应、薄膜应力

39

TG111.7;TG113.226(金属学与热处理)

2004-08-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

1225-1227

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金属学报

0412-1961

21-1139/TG

39

2003,39(11)

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