10.3321/j.issn:0412-1961.2003.11.028
用薄膜内耗仪测定薄膜应力
采用一种新的薄膜内耗仪观测Ni50Ti50薄膜样品的形变(薄膜形变造成薄膜与载膜硅片之间的界面应力)随温度或其它环境参量的变化.同步测量了薄膜的内耗、动态模量、薄膜应力以及Ni50Ti50薄膜的相变过程.
内耗、形状记忆效应、薄膜应力
39
TG111.7;TG113.226(金属学与热处理)
2004-08-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
1225-1227
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10.3321/j.issn:0412-1961.2003.11.028
内耗、形状记忆效应、薄膜应力
39
TG111.7;TG113.226(金属学与热处理)
2004-08-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
1225-1227
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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