10.3321/j.issn:0412-1961.2003.11.008
La2NiO4.147体系相变的低频内耗
通过电化学加氧方法获得额外氧含量δ=0.147、结构为Fmmm的La2NiO4+δ样品.低频内耗测量表明,400K温区附近存在一个相变内耗峰,它对应体系从低温正交Fmmm相到高温四方I4/mmm相的转变,模量和内耗的升、降温回滞现象反映此相变为一级相变.变频和改变升温速率内耗实验表明,内耗峰高与测试频率成反比,与升温速率成正比,具有马氏体相转变特征.低δ值的La2NiO4+δ样品无此相变峰,说明此峰应与低温正交Fmmm相中额外氧的三维有序变化相关.
La2NiO4、额外氧、低频内耗、马氏体相变
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TG113.226(金属学与热处理)
2004-08-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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