光激发荧光谱术分析Co-Cr-Al(Y)纳米涂层的氧化Ⅱ.Al2O3膜应力测量与分析

摘要：

用光激发荧光谱术分析测量磁控溅射Co-Cr-Al(Y)纳米涂层经1000,1100和1200℃氧化后Al2O3膜中的残余应力,获得如下结果:(1)残余应力随氧化温度升高而增大;(2)暂态氧化出现的区域应力值明显低于无暂态氧化的区域;(3)两种涂层1000℃下形成的氧化膜中的残余应力相差不大,但在1100和1200℃下,含Y涂层形成的氧化膜中的残余应力比不含Y中的高.对实验结果进行了分析.

关键词：光激发荧光谱术、Al2O3、残余应力、磁控溅射Co Cr Al(Y)、纳米涂层

所属期刊栏目：39

分类号：TG174.444(金属学与热处理)

资助基金：中国科学院引进国外杰出人才基金

在线出版日期：2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1060-1064